PHT6NQ10T,135 دیتاشیت

PHT6NQ10T,135

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHT6NQ10T,135
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت PHT6NQ10T,135

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PHT6NQ10T,135
  • Operating Temperature: -65°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): null;8.3W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 21nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 633pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 90mΩ@3A,10V
  • Package: SOT-223
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه